您当前位置: 新葡萄京网站大全>新品速递

大功率GaN快充|ZVS反激电源控制芯片RM6801ND

来源:新葡萄京网站大全-【新葡京登入】 发布时间:2021-07-19 阅读次数:

强制ZVS反激式电源控制芯片RM6801ND

 

高效率、大功率

■专有ZVS技术降低MOSFET开关损耗,改善EMI特性;

■支持CCM/QR混合模式;

■支持最大130KHz工作频率;

■专有驱动技术,可直接驱动E-Mode GaN功率器件,省去外置驱动器件。

 

超低待机功耗

■ 内置700V高压启动;

■ 集成X-CAP放电功能;

■ 低启动电流(2uA),低工作电流;

■ 待机功耗<65mW。

 

优异的性能

■ 内置特有抖频技术改善EMI;

■ Burst Mode去噪音;

■ 集成斜坡补偿及ZVS高低压补偿功能;

■ 集成AC输入Brown out/in功能;

■ 外置OVP保护,具有输出肖特基短路保护/CS短路保护;

■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。


原理图
\

 


产品系列

 

型号 反馈形式 输出功率 封装 功率管
RM6801ND SSR+ZVS 100W SSOP-10 外置GaN

 

XML 地图 | Sitemap 地图