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3D封装技术|合封氮化镓电源芯片RM6604ND

来源:新葡萄京网站大全-【新葡京登入】 发布时间:2021-11-29 阅读次数:

支持36W快充|3D封装技术高集成合封氮化镓电源芯片RM6604ND

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芯片概述

RM66040ND内部采用新葡萄京网站大全司自主研发封装技术,芯片内部集成CCM/QR反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等,支持最大36W快充,具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点,满足快充电源小型化设计要求。此外,芯片采用DFN5*6封装,成本更为优异。

RM6604ND 集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频 130Khz 的 PWM 模式下,在低压输入时会进入 CCM 模式;在重载情况下,系统工作在 QR 模式,以降低开关损耗,同时结合 PFM工作模式提高系统效率;RM6604ND 采用专有的驱动技术,搭配高压 GaNFET 功率器件改善 EMI 设计;在轻载或空载情况下,系统工作在 Burst Mode 模式,有效去除音频噪音,同时在该模式下,RM6604ND 本身损耗极低,因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下,都集成了特有抖频工作模式,以改善 EMI。

RM6604ND 同时集成了多种保护模式和补偿电路,包括 VCC OVP,内置 OTP,外置 OVP,欠压锁定(uvlo),逐周期过流保护 OCP,过载保护(OLP),CS 短路保护,输出肖特基短路保护等,并内置斜坡补偿。

 

 


功能特点
 

■ 支持 CCM/QR 混合模式;

■ 内置 700V 高压启动;

■ 内置 650V GaNFET; ? 支持最大 130KHz 工作频率;

■ 内置特有抖频技术改善 EMI; ? Burst Mode 去噪音;
■ 低启动电流(2uA),低工作电流;
■ 集成斜坡补偿;
■ 集成输入 Brown out/in 功能;

■ 外置 OVP 保护;

■ 具有输出肖特基短路保护/CS 短路保护;

■ 内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护。


原理图

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产品系列

 

型号 反馈形式 输出功率 封装 功率管 应用领域
RM6604ND SSR+QR 36W DFN5*6 内置GaN

PD/QC快速充电器

适配器

TV电源

 

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